MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
有機金属気相エピタキシャル成長法を用いて, GaAs(001)面上に立方晶GaN(c-GaN)を作製した。混入する六方晶GaNと成長条件との関係を調べたところ, 成長速度を0.4μm/hから1.2μm/hに増加することにより, c-GaN割合が最大の約90%になる温度域が700-800℃から850-900℃と高温側にシフトすることがわかった。六方晶成分の混入にマイグレーションが強く関与していることを示唆する結果であると考えられる。また, 構造的な面からも六方晶成分の低減を試み, 低温バッファ層を従来の1層から2層にすることにより, 立方晶GaN割合を98%まで増加させることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-06
著者
-
藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
Fujita Shiz
Kyoto Univ. Kyoto Jpn
-
船戸 充
京都大学大学院工学研究科
-
藤田 静雄
京都大学国際融合創造センター
-
藤田 静雄
京都大学大学院
-
藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
-
藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属
-
小川 雅弘
京都大学大学院工学研究科電子物性工学
-
石堂 輝樹
京都大学大学院工学研究科電子物性工学
-
船戸 充
京都大学大学院工学研究科 電子物性工学専攻
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical Engineering Hachinohe Institute Of Technology
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科
関連論文
- ミストCVD法によるコランダム型構造酸化物半導体薄膜の作製と評価
- GaN青色LED, LD実現への歩み : 米国からのメッセージとともに
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性を利用した積層導波路型光メモリ(光記録技術,一般)
- 気相法による酸化亜鉛半導体薄膜のステップフローホモエピタキシャル成長
- 有機ホウ素ポリマーの二光子吸収型多層光メモリへの応用
- 有機ホウ素ポリマーを用いた二光子吸収型光メモリ装置
- 二光子吸収特性を利用した有機ホウ素化合物の導波路構造型多層光メモリへの応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 有機ホウ素ポリマーの二光子吸収結合断裂
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 低転位GaNの時間 : 空間分解光熱変換過程の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 低転位GaNの時間-空間分解光熱変換過程の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 5a-E-2 GaN量子ドットの多励起子効果
- 29a-K-3 II-VI族量子井戸構造の高密度励起下における時間分解分光
- 光MOVPE成長ZnSeの熱処理効果と評価
- Alg_3薄膜のキャリア伝導
- 二光子吸収特性を利用した有機ホウ素化合物の導波路構造型多層光メモリへの応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 二光子吸収特性を利用した有機ホウ素化合物の導波路構造型多層光メモリへの応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 二光子吸収特性を利用した有機ホウ素化合物の導波路構造型多層光メモリへの応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 時間分解分光によるInGaN量子井戸構造の発光ダイナミクス
- Optical Properties of ZnCdSe/ZnSSe Strained-Layer Quantum Wells
- Estimation of Critical Thicknesses and Band Lineups in ZnCdSe/ZnSSe Strained-Layer System for Design of Carrier Confinement Quantum Well Structures
- Metalorganic Molecular Beam Epitaxy of Zn_Cd_xS_ySe_ Quaternary Alloys on GaAs Substrate
- On the Properties of ZnSe/(NH_4)_2S_x-Pretreated GaAs Heterointerfaces
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- InGaN系半導体デバイスの発光機構(半導体エレクトロニクス)
- InGaNレーザダイオード構造における光ゲイン生成ダイナミクス
- 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
- 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
- 25pK-6 InGaN中の低次元ナノ構造からの発光
- InGaN量子井戸発光デバイスのふく射再結合機構 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- 青色発光GaNの微細構造と発光特性--なぜよく光るか?もっと光らせるには (日本電子顕微鏡学会第43回シンポジウム論文集--21世紀へ向けての新技術の展開--平成10年10月28日(水)〜30日(金),千葉大学けやき会館〔含 著者名索引〕) -- (新デバイス材料開発技術の最前線)
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- 真空蒸着法によるPbS_xSe_のエピタキシャル薄膜 : 融液成長と蒸着膜
- GaN/SiC基板上GaN系半導体のMBE成長
- Synthesis of BaTiO_3 Thin Films Substituted with Hafnium and Zirconium by a Laser Ablation Method Using the Fourth-harmonic Wave of a YAG Laser
- Zn(S,Se)-GaAsヘテロエピタキシャル成長と積層構造の作製 : エピタキシーI
- Preparation and Electrical Properties of PZT Thin Film Capacitors for Ferroelectric Random Access Memory
- Preparation of La-Modified Lead Titanate Film Capacitors and Influence of SrRuO_3 Electrodes on the Electrical Properties
- InGaN単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性(レーザ・量子エレクトロニクス)
- バルクZnO基板の特性とホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
- 白色発光素子を用いた外科手術用照明ゴーグルの開発
- LEDの医療応用の可能性;ロボット手術での赤の演色性の改善の重要性
- 有機薄膜マルチ構造の真空作製と発光ダイナミクス
- Zn系薄膜の各種作製法とその諸特性
- GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
- GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
- OME2000-52 有機EL薄膜へのC_添加効果
- 青色発行素子の行方
- MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入
- MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入
- 原子価不整合系の半導体へテロ構造におけるバンド不連続量の制御
- ZuSe/GaAsおよびGaAs/ZuSe有機金属気相成長と電気的特性の評価
- Comparative Study of Photoluminescence Dynamics of Tris (8-hydroxyquinoline) Aluminum-Based Organic Miltilayer Structures with Different Types of Energy Lineups
- Photoluminescence Dynamics of Aluminumquinoline/Oxadiazole Multilayer Structures
- Optical Properties of Aluminumquinoline-Oxadiazole Codeposited Luminescent Layers
- Growth of GaN on Indium Tin Oxide/Glass Substrates by RF Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Method
- Molecular Beam Epitaxial Growth Behaviors of Zn1-xCdxSe on the GaAs(110)Surface Cleaved in Ultra High Vacuum (第37回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス(1996年10月30日〜11月1日,大阪))
- (2×6) Surface Reconstruction of GaAs (001) Obtained by Hydrogen Sulfide Irradiation
- Reflection High Energy Electron Diffraction Intensity Oscillations during the Growth of ZnSe on Cleaved GaAs(110) Surface by Molecular Beam Epitaxy
- Recombination Dynarmics in Zn_xCd_S Single Quantum Well Grown by Photoassisted Metalorganic Vapour Phase Epitaxy by Time-Resolved Photoluminescence Spectroscopy
- Optical Properties of ZnSe/ZnMgSSe Single Quantum Wells Grown by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy
- Gas-Source Molecular Beam Epitaxial Growth of (Zn, Mg)(S, Se) Using Bis-methylcyclopentadienyl-magnesium and Hydrogen Sulfide
- Near-UV Electroluminescence from a ZnCdSSe/ZnSSe Metal-Insulator-Semiconductor Diode on GaP Grown by Molecular Beam Epitaxy
- Photoluminescence Excitation Spectroscopy of the Lasing Transition in Zn_Cd_Se-ZnS_Se_ Multiple Quantum Wells
- Carrier Injection Characteristics in Diamine/ZnSe Organic-Inorganic Thin-Film Heterostructures for Blue Electroluminescence
- Growth and Characterization of Strained-Layer Quantum Wells with Wide Gap ZnCdSSe Alloy System
- JJAPフレンドシップミーティング報告
- 結晶工学
- 結晶工学
- 第5回「科学と生活のフェスティバル」の報告
- 半導体ナノ構造の自己形成とその制御 : 酸化亜鉛半導体ナノドットを例に
- Ferroelectric and Pyroelectric Properties of Ba_Pb_x Ti_(Hf_,Zr_)_O_3 Thin Films : Electrical Properties of Condensed Matter
- Ferroelectric SrxBa1-xNb2O6 Synthesized by YAG Laser Deposition
- Preparation and Ferroelectric Properties of BaTiO3 Related Thin Films
- Preparation and Ferroelectric Properties of Ti-Site Substituted BaTiO_3 Thin Films
- The Role of Growth Rates and Buffer Layer Structures for Quality Improvement of Cubic GaN Grown on GaAs
- Properties and Degradation of Polarization Reversal of Soft BaTiO_3 Ceramics for Ferroelectric Thin-Film Devices
- CdSe/ZnSe/ZnSSe 単一量子井戸における局在励起子の時間分解発光特性および青緑色発光ダイオードの作製
- Formation of an Atomically Flat Surface of ZnSe on GaAs(001) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 光CVDによる電子薄膜材料の作製 (光に反応する新しい工業材料--その開発と利用の現状)
- ヨウ素輸送法による立方晶系ZnS単結晶の育成 : 気相成長
- ZnMgSSeのMOMBE成長と評価
- GaAs(110)面上への高品質ZnSe系半導体のMBE成長
- Growth Behavior of GaAs in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy onto ZnSe
- ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 : 大気圧下、低温成長への挑戦
- ZnOの基本物性と光デバイス応用
- 短波長半導体レーザーと発光ダイオードの構造と発光機構
- 半導体低次元系における励起子物性とレーザへの応用