低転位GaNの時間-空間分解光熱変換過程の観測(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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顕微過渡レンズ法を用いることにより、低転位GaNにおける光熱変換過程の時間-空間分解観測に成功した。得られた信号にはキャリア変調による凹レンズ成分と温度変調による凸レンズ成分が含まれ、その時間変化・強度を解析することによってキャリアの再結合寿命、発熱量、熱伝導度が得られた。貫通転位密度が1〜2×10^9 cm^2 のSeed領域と〜2×10^6 cm^2 のWing領域を持つエアブリッジ横方向選択成長(ABLEG)GaNにおいて、熱伝導度はそれほど変わらないのに対し、熱の発生量が低転位Wing領域では半分以下に低減されていることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-07
著者
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
川上 養一
京都大学大学院工学研究科
-
井上 謙一
京都大学大学院工学研究科
-
岡本 晃一
京都大学大学院工学研究科
-
寺嶋 正秀
京都大学大学院理学研究科
-
辻村 歩
松下電器産業(株)先端技術研究所
-
木戸口 勲
松下電器産業(株)先端技術研究所
-
崔 正権
京都大学大学院理学研究科
-
辻村 歩
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
寺嶋 正秀
京大 大学院
-
岡本 晃一
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻:科学技術振興機構さきがけ
-
岡本 晃一
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
寺嶋 正秀
京大 大学院理学研究科
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科
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