伝搬型および局在型表面プラズモンを利用した高効率発光・受光素子 (レーザ・量子エレクトロニクス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2010-05-28

著者

• 川上 養一

  京都大学大学院工学研究科

• 岡本 晃一

  京都大学大学院工学研究科

• Bardoux Richard

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

関連論文

• 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• プラズモニクスを利用したLEDの高速・高効率化(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• 近接場光学顕微鏡によるInGaN量子構造の欠陥と光学特性の相関の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
• 白色発光ダイオードの基礎と応用-固体照明の技術革新に伴う医工連携と産学連携の夜明け-
• 低転位GaNの時間 : 空間分解光熱変換過程の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 低転位GaNの時間-空間分解光熱変換過程の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 伝搬型および局在型表面プラズモンを利用した高効率発光・受光素子 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• プラズモニクスによる高効率発光
• 時間分解分光によるInGaN量子井戸構造の発光ダイナミクス
• 伝搬型および局在型表面プラズモンを利用した高効率発光・受光素子(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• InGaNレーザダイオード構造における光ゲイン生成ダイナミクス
• 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
• 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
• InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
• InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
• InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
• InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
• III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
• 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• InGaN単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性(レーザ・量子エレクトロニクス)
• 白色発光素子を用いた外科手術用照明ゴーグルの開発
• CS-3-6 表面プラズモンを用いた新規発光デバイス(CS-3.新原理オプティクスの最近の動向,シンポジウムセッション)
• CdSe/ZnSe/ZnSSe 単一量子井戸における局在励起子の時間分解発光特性および青緑色発光ダイオードの作製
• 4-1 プラズモニクスに基づく高輝度発光素子(4.プラズモニクスの応用展開,進化する先端フォトニックデバイス)
• GaAs(110)面上への高品質ZnSe系半導体のMBE成長
• ナノフォトニクス・プラズモニクスの新展開 : 高効率LED・太陽電池への応用
• プラズモニクスを用いたLEDの発光増強
• ZnSe系量子井戸構造の成長と励起子ダイナミクス
• 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによる Efficiency droop 機構の解明

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク