時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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InGaN単一量子井戸構造の発光ダイナミクスを解明するために、18Kにおいて近接場光学顕微鏡を用いた空間、波長、時間分解顕微分光測定を行った。近接場発光像において、発光強度、発光ピーク波長ともに数盲nm程度の空間揺らぎを観測した。発光強度とピーク波長の間には、発光強度の強い場所は発光ピーク波長が長い場所に対応しているという相関関係があることが分かった。時間分解近接場発光測定の結果、発光強度の弱い領域は隣接する発光強度の強い領域に比べ発光寿命が短く、生成されたキャリアは横方向へ拡散し局在準位に捕獲され発光していることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-07
著者
-
成川 幸男
日亜化学工業
-
向井 孝志
日亜化学工業
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
-
川上 養一
京都大学大学院工学研究科
-
丸月 義一
日亜化学工業株式会社
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科
-
向井 孝志
日亜化学工業 窒化物半導体研
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