InGaN単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性(レーザ・量子エレクトロニクス)
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概要
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同一構造,同一組成比で,成長温度のみが755, 748, 740℃と異なる3種類のInGaN/InGaN単一量子井戸における一対のピークの発光機構を,光励起発光及び時間分解光励起発光測定により評価を行った.光励起発光測定において7〜300Kの全温度範囲において一対の明確なピークが観測され,発光ピーク間の波長間隔は,成長温度が低くなるにつれ大きくなることがわかった.この一対の発光はInGaNの相分離によると判断された.測定温度の上昇とともに,発光ピーク位置が高エネルギー側へ移動している温度領域内において,非輻射再結合が支配的となり始めていることが,時間分解光励起発光測定で示された.発光スペクトルの半値幅は,この温度領域ではわずかに増加しており,より状態密度の高い状態からの再結合が生じていることを示している.なお,低温成長ほど局在準位の深さが深くなり,キャリヤの閉じ込めも大きくなっている結果を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-01
著者
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
-
川上 養一
京都大学大学院工学研究科
-
西塚 幸司
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
佐々木 昭夫
大阪電気通信大
-
西塚 幸司
大阪電気通信大学大学院工学研究科総合電子工学
-
佐々木 昭夫
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科
-
油利 正昭
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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