減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ
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概要
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減圧MOCVD法を用いて、GaN(0001)/Al_2O_3(0001)上にInGaNを成長させ、X線回折およびフォトルミネッセンスにより組成の評価を行った。X線回折の逆格子マッピングを用いた評価では、GaNとInGaNのピークが(1120), (0001)方向ともにずれており、InGaNは完全に歪みが緩和した状態で成長していることがわかった。フォトルミネッセンス測定における発光ピークとX線回折より求めたIn組成比の関係より、最小2乗近似で求めた、歪み緩和されたInGaNの室温におけるボーイングパラメータは4.1eVであることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-09
著者
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
今藤 修
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
油利 正昭
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
伊藤 国雄
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
今藤 修
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
-
吉川 昭男
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
-
吉川 昭男
松下電子工業株式会社技術本部電子総合研究所
-
吉川 昭男
松下電子工業
-
橋本 忠朗
松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所
-
寺越 喜多美
大阪大学 工学部
-
杉野 隆
大阪大学 工学部
-
伊藤 国雄
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
伊藤 国雄
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
杉野 隆
大阪大学 大学院工学研究科
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