レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製
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概要
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- 2003-09-25
著者
-
藤本 康弘
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田村 聡之
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
小川 雅弘
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田村 聡之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
小川 雅弘
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
パナソニック株式会社
-
藤本 康弘
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
油利 正昭
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田村 聡之
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
小川 雅弘
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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