10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗なAlGaN/GaN HFETを開発することに成功した。本開発では、サファイアを貫通するビアホールを形成することでドレイン電極を基板裏面に配置し、ウエハ表面での高電圧配線の引回しによる耐圧低下を回避した。また、縁破壊電界が高い多結晶AlN膜を用いることでフィールドプレート直下でのパッシベーション膜の絶縁破壊を抑制し、高電圧にも耐えるフィールドプレートを実現した。作製したAlGaN/GaN HFETは良好なトランジスタ特性を示し、耐圧10400V、オン抵抗186mΩcm^2を得た。これまでに報告されたGaN系トランジスタの中で最も高い耐圧を実現することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-09
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
松尾 尚慶
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
柴田 大輔
パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
永井 秀一
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
LI Ming
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
柴田 大輔
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
LI Ming
パナソニック ボストン研究所
-
柴田 大輔
パナソニック株式会社
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
-
上田 大助
パナソニック株式会社
-
松尾 尚慶
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
上本 康裕
パナソニック株式会社
-
Li Ming
Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
パナソニック株式会社
-
永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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