10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

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概要

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我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗なAlGaN/GaN HFETを開発することに成功した。本開発では、サファイアを貫通するビアホールを形成することでドレイン電極を基板裏面に配置し、ウエハ表面での高電圧配線の引回しによる耐圧低下を回避した。また、縁破壊電界が高い多結晶AlN膜を用いることでフィールドプレート直下でのパッシベーション膜の絶縁破壊を抑制し、高電圧にも耐えるフィールドプレートを実現した。作製したAlGaN/GaN HFETは良好なトランジスタ特性を示し、耐圧10400V、オン抵抗186mΩcm^2を得た。これまでに報告されたGaN系トランジスタの中で最も高い耐圧を実現することができた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2008-01-09

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