C-10-5 Fe注入によるAlGaN/GaN HFETの高耐熱素子分離技術(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 2011-02-28
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
梅田 英和
パナソニック株式会社
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
梅田 英和
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
パナソニック株式会社
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