C-10-7 格子間フッ素によるGaN系トランジスタのノーマリオフ化機構(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-09-02
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
瀧澤 俊幸
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
瀧澤 俊幸
松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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