上田 哲三 | パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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上田 大助
パナソニック株式会社
著作論文
- GaNナチュラルスーパージャンクション ダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード
- C-10-16 擬似スーパージャンクション構造によるGaN縦型ショットキーバリアダイオードの高耐圧化(C-10.電子デバイス,一般講演)
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-2-10 厚膜再配線構造による低損失伝送線路を用いた準ミリ波帯SiGe-MMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
- サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET