田中 健一郎 | パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター
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概要
関連著者
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上田 哲三
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田中 毅
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田中 健一郎
パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター
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著作論文
- GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
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