GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
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概要
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ノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける,高電界印加時の電流コラプスの発現メカニズムについて詳細に調べた.デバイスをオフからオンへスイッチングした直後のオン抵抗の測定結果によると,温度上昇に伴い電流コラプスが増大することがわかった.この結果は,温度が上昇すると電子の放出過程が促進され,電流コラプスが抑制されるという当初の予想とは逆の結果である.我々はこの原因について詳細に調べ,温度の上昇により電子の放出過程が促進されるだけでなく,電子の捕獲過程が同時に促進されることを見出した また,電子の捕獲過程においてエネルギー障壁が存在することを明らかにし,その大きさを0.17土0.04eVと決定した.このエネルギー障壁が生じる原因については,配位座標モデルにより説明し,電子と格子の強い相互作用により生じていると結論した.
- 2013-01-10
著者
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社
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田中 健一郎
パナソニック株式会社 エコソリューションズ社 デバイス開発センター
-
田中 健一郎
パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター
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