セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ
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概要
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- 2006-06-26
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
-
森田 竜夫
パナソニック株式会社
-
森田 竜夫
松下電器産業(株)半導体社
-
森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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