C-10-14 AlGaN/AlNバッファを用いた高耐圧AlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFET(C-10.電子デバイス,一般講演)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-07
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上野 弘明
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
松尾 尚慶
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
松尾 尚慶
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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