松尾 尚慶 | パナソニック株式会社
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概要
関連著者
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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松尾 尚慶
パナソニック株式会社
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松尾 尚慶
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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上本 康裕
パナソニック株式会社
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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上田 大助
パナソニック株式会社
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上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
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上野 弘明
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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柳原 学
パナソニック株式会社
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柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松尾 尚慶
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
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柴田 大輔
パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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柴田 大輔
パナソニック株式会社
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引田 正洋
パナソニック株式会社
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中澤 一志
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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中澤 一志
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石堂 輝樹
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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片山 琢磨
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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柳原 学
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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柴田 大輔
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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LI Ming
パナソニック ボストン研究所
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石堂 輝樹
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
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井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
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永井 秀一
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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井上 薫
パナソニック株式会社先端技術研究所
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上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社 先端技術研究所
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村田 智洋
松下電器産業(株)
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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LI Ming
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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Li Ming
Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company
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永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
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Li Ming.
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
パナソニック株式会社
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梅田 英和
パナソニック株式会社
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井腰 文智
パナソニック株式会社
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清水 順
パナソニック株式会社
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片山 琢磨
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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梅田 英和
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
著作論文
- GaNナチュラルスーパージャンクション ダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード
- C-10-16 擬似スーパージャンクション構造によるGaN縦型ショットキーバリアダイオードの高耐圧化(C-10.電子デバイス,一般講演)
- サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
- CS-9-6 サファイア基板へのビアを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- C-10-15 伝導度変調を利用したノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ノーマリオフ型GITを集積化したワンチップGaNインバータIC
- C-10-1 EBSD法によるSi上AlGaN/GaNヘテロ構造の歪み分布解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- GaNナチュラル スーパージャンクション ダイオード
- EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化
- AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-14 AlGaN/AlNバッファを用いた高耐圧AlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFET(C-10.電子デバイス,一般講演)