上田 大助 | 松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
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上田 大助
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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松尾 尚慶
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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根来 昇
松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
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名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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柴田 大輔
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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パナソニック ボストン研究所
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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パナソニック(株)セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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柴田 大輔
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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谷川 達也
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター
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大西 俊一
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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神田 敦彦
松下電器産業
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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中澤 一志
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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福田 健志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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宇治田 信二
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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LI Ming
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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永井 秀一
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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Li Ming
Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company
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山中 一彦
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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東條 友昭
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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小野澤 和利
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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福田 健志
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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宇治田 信二
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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水谷 孝
名古屋大学工学研究科
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曽我 育生
名古屋大学大学院工学研究科
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前澤 宏一
名古屋大学大学院工学研究科
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石堂 輝樹
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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片山 琢磨
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
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Li Ming.
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
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清水 順
パナソニック株式会社
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石堂 輝樹
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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片山 琢磨
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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北川 清一郎
ナルックス(株)
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奥田 拓也
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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井島 新一
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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久保 淳一
ナルックス株式会社
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前澤 宏一
富山大学大学院理工学研究部
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シング ビラハム
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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清水 順
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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北川 清一郎
ナルックス株式会社
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水谷 孝
名古屋大学
著作論文
- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
- CS-9-6 サファイア基板へのビアを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- C-10-15 伝導度変調を利用したノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HFET を用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
- C-10-1 EBSD法によるSi上AlGaN/GaNヘテロ構造の歪み分布解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 磁性流体を用いた高放熱構造を有する光学系駆動型光ピックアップ(光記録・一般)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 液中自己整合選択実装技術によるハイブリッド型高出力2波長レーザの開発(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 金属ナノホールアレイを用いた表面プラズモン面発光レーザー
- 表面プラズモン共鳴を用いた偏波制御VCSELアレイ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- CS-4-5 表面プラズモンミラーを集積化した面発光レーザ(CS-4.光インターコネクション技術の最新動向,シンポジウム)
- C-4-13 微小金属ホールアレイを集積化した850nm帯表面プラズモンVCSEL(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化