神田 敦彦 | 松下電器産業
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概要
関連著者
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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神田 敦彦
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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神田 敦彦
松下電器産業
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上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
松下電器産業(株)
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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上本 康裕
パナソニック株式会社
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廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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松野 年伸
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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松野 年伸
松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石井 基範
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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石井 基範
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック株式会社
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江川 孝志
名古屋工業大学
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井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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石井 基範
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究所センター
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池田 義人
松下電器産業
著作論文
- C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HFET を用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 選択コレクタイオン注入の有無を組み合わせたSiGe HBTパワーアンプ(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 選択コレクタイオン注入の有無を組み合わせたSiGe HBTパワーアンプ(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 選択コレクタイオン注入の有無を組み合わせたSiGe HBTパワーアンプ(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))