広瀬 裕 | 松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
パナソニック株式会社
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村田 智洋
松下電器産業(株)
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
著作論文
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HFET を用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET (特集/第20回テクノフェスタ)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)