AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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AlGaN/GaN MODFET電気特性のゲート方位依存性を検討した。同一ウェハ上に作製した15°おきに異なるゲート方位をもつMODFETは同一の電気特性を示し、GaAs FETで知られている電気特性のゲート方位依存性がないことがわかった。この原因を明らかにするために、ゲート方位依存性の原因となる電極近傍のピエゾ電荷密度を有限要素法を用いて計算した。有限要素解析では、材料の圧電定数と弾性定数を含む圧電方程式をもとに、境界条件としてゲート端に応力を仮定して計算した。これより、AlGaN/GaN MODFETの場合、ゲート電極近傍にピエゾ電荷が発生するものの、それがゲート方位依存性をもたないことを明らかにした。さらに、これらの結果は六方晶系材料の圧電定数および弾性定数の対称性に起因することを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-26
著者
-
石井 基範
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
松下電器産業(株)
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
神田 敦彦
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
石井 基範
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
-
上本 康裕
パナソニック株式会社
-
廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
石井 基範
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究所センター
-
神田 敦彦
松下電器産業
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