10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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10Gb/s光通信用チップセットとして、InGaP/GaAsHBTによるレーザドライバ/受光プリアンプICを開発した。ドライバICの変調出力は最大70mAp-pの駆動能力をもち、終段入力部に導入した波形整形回路により、オーバーシュートのないクリアなアイパターンを実現した。受光プリアンプは、初段トランジスタをベース接地とすることで入力インピーダンスを低減し、人力部の寄生回路の影響を受け難い構成とした結果、受光素子を含めたO/Eモジュールに実装した状態で周波数帯域8.7GHzと良好な特性を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-13
著者
-
福田 健志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
永井 秀一
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
福田 健志
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
八幡 和宏
松下電器産業半導体研究センター
-
永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
-
八幡 和宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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