ゲート方向によるGaAsパワーFETの温特補償
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-06
著者
-
福田 健志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
福井 武司
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
古川 秀利
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
田中 毅
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
-
古川 秀利
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
福井 武司
松下電子工業(株)電子総合研究所半導体第二研究部
-
福田 健志
松下電子工業(株)電子総合研究所半導体第二研究部
-
田中 毅
松下電子工業 電子総研
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