福井 武司 | 松下電子工業(株)電子総合研究所半導体第二研究部

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概要

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• 松下電子工業(株)電子総合研究所半導体第二研究部の論文著者

関連著者

• 上田 大助

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 福井 武司

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 古川 秀利

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 田中 毅

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 上田 大助

  パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所

• 上田 大助

  松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部

• 古川 秀利

  松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター

• 福井 武司

  松下電子工業(株)電子総合研究所半導体第二研究部

• 田中 毅

  松下電子工業 電子総研

• 石田 秀俊

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 竹中 浩

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 竹中 浩

  松下電子工業(株)電子総合研

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 福田 健志

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 宮辻 和郎

  松下電子工業(株)半導体社 ディスクリート事業部

• 宮辻 和郎

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 丹波 泰之

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 福田 健志

  松下電子工業(株)電子総合研究所半導体第二研究部

• 立岡 一樹

  松下電子工業電子総合研究所

• 野間 敦史

  松下電子工業(株) 電子総合研究所 第二研究部

• 立岡 一樹

  松下電子工業(株) 電子総合研究所 第二研究部

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著作論文

• Surface-Via-Hole (SVH)技術によるGaAsパワーFET
• ゲート方向によるGaAsパワーFETの温特補償
• スパイクゲート構造による高効率低歪みGaAsパワーFET
• 1.5V動作高効率GaAsスパイクゲートパワーFET

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