宮辻 和郎 | 松下電子工業(株)半導体社 ディスクリート事業部
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概要
関連著者
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宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体社 ディスクリート事業部
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宮辻 和郎
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石田 秀俊
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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岩永 順子
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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田邊 充
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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小泉 治彦
松下電子工業(株)電子総合研究所
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西辻 充
松下電子工業(株)電子総合研究所
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西辻 充
松下電子工業
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牧岡 敏史
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究所センター
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牧岡 敏史
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部
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竹中 浩
松下電子工業(株)電子総合研究所
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田村 彰良
松下電子工業(株)電子総合研究所
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竹中 浩
松下電子工業(株)電子総合研
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石川 修
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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西辻 充
松下電器産業半導体研究センター
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石川 修
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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福井 武司
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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丹波 泰之
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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上田 大助
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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福井 武司
松下電子工業(株)電子総合研究所半導体第二研究部
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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横山 隆弘
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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山本 真司
松下電子工業株式会社半導体社
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西嶋 将明
松下電子工業株式会社半導体社
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國久 武人
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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伊藤 順治
松下電子工業(株)電子総合研究所
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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立岡 一樹
松下電子工業電子総合研究所
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杉村 昭久
松下電子工業電子総合研究所
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西嶋 将明
松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター
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山本 真司
工学院大
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伊藤 順治
松下電器産業(株)半導体社 アナログLSI事業部
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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國久 武人
松下電子工業
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横山 隆弘
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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立岡 一樹
松下電子工業(株) 電子総合研究所 第二研究部
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パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
著作論文
- 大振幅動作におけるGaAsFETの周波数分散と変調波ひずみ特性
- 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
- Surface-Via-Hole (SVH)技術によるGaAsパワーFET
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- 位相シフト露光法によるMODFETを用いた低電流低歪帰還型広帯域アンプ
- GaAs FETの短チャネル効果を用いた低歪化アッテネータIC
- 2段ゲート長FETによるGaAs可変アッテネータの低歪化
- 単一正電圧制御GaAs RFスイッチIC
- 位相シフト露光法による0.2μmゲートMODFETを用いた低電流広帯域アンプ
- 補助グランド突起をもつリードフレームによるアイソレーション改善効果
- AlGaAs/GaAs HBT の電流利得のエミッタ方向依存性
- PHS用送受信一体型ハイブリッドICの開発
- C-10-3 GSM用高出力DPDTスイッチIC
- 強誘電体キャパシタ内蔵GaAs MMIC (移動体通信特集) -- (要素技術)
- Cr拡散によるGaAsパワーFETの低歪み化
- 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
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- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発