2段ゲート長FETによるGaAs可変アッテネータの低歪化
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概要
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携帯電話等の移動体通信端末の出力パワー制御用に可変アッテネータに対する要望が高まっている。GaAsアッテネータICは、従来のSi-PINダイオードに比較して消費電力が非常に小さく、小型化できるという利点があるが、歪みが大きいという問題があった。今回、2段ゲート長FETを用いることにより、GaAsアッテネータICの低歪化を実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体社 ディスクリート事業部
-
宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
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