SC-5-7 SiC基板上AlGaN/GaN HFETの高周波特性
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-16
著者
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
-
池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
松野 年伸
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
井上 薫
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
西井 勝則
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
-
池田 義人
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
松野 年伸
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
西井 勝則
松下電器
-
松野 年伸
松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電子工業(株) 電子総合研究所
-
正戸 宏幸
松下電器
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