高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFIC
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概要
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BSTやSTOなどの高誘電率キャパシタを用いた高周波集積回路についてレビューする。実現された高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFICはピン数の少ない小型化パッケージに納めることが可能になる。オンチップ化することで接地が良くなり、利得が向上するとともに消費電力を削減することが可能となる。この技術は低電力化と小型化が最も重要な携帯情報端末などの高周波無線機器に最適なものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-07-23
著者
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