位相シフト露光法による0.15μmT字型ゲートGaAs MODFETの形成
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概要
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SHF帯低雑音GaAsMODFETではサブクォータ一ミクロンT字型ゲート構造が必要である。今回我々は、従来のEB露光法に換えて、位相シフト露光法による0.15μmT字型ゲート形成プロセスを開発し、12GHzでの最小雑音指数0.36dB、利得11.5dB、fmax 110GHzを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
竹中 浩
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
上田 大助
松下電子工業(株)電子総合研
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
-
竹中 浩
松下電子工業(株)電子総合研
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