上田 大助 | 松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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田中 毅
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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田中 毅
松下電子工業 電子総研
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宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体社 ディスクリート事業部
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宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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古川 秀利
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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古川 秀利
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
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西辻 充
松下電子工業(株)電子総合研究所
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西辻 充
松下電子工業
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西辻 充
松下電器産業半導体研究センター
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横山 隆弘
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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西井 勝則
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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西井 勝則
松下電器
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横山 隆弘
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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横山 隆弘
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
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石川 修
松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部
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石川 修
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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石川 修
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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竹中 浩
松下電子工業(株)電子総合研究所
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竹中 浩
松下電子工業(株)電子総合研
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井上 薫
松下電子工業(株)電子総合研究所
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井上 薫
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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小泉 治彦
松下電子工業(株)電子総合研究所
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正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
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山本 真司
松下電器産業 半導体社 事業本部ディスクリート事業部
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福井 武司
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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前田 昌宏
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
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上田 大助
松下電子工業(株)電子総合研
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福井 武司
松下電子工業(株)電子総合研究所半導体第二研究部
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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森本 滋
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
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池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松野 年伸
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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山本 真司
松下電子工業株式会社半導体社
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西嶋 将明
松下電子工業株式会社半導体社
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國久 武人
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター
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池田 義人
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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松野 年伸
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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山本 真司
工学院大
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國久 武人
松下電子工業
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松野 年伸
松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター
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正戸 宏幸
松下電器
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西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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牧岡 敏史
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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牧岡 敏史
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究所センター
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牧岡 敏史
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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太田 順道
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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太田 順道
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
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太田 順道
松下電子工業 半導体デバイス研セ
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石川 修
松下電器(株) アナログlsi事業部
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岩永 順子
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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田邊 充
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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田村 彰良
松下電子工業(株)電子総合研究所
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宇田 智哉
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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立岡 一樹
松下電子工業電子総合研究所
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野間 淳史
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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金澤 邦彦
松下電子工業(株)電子総合研究所第2研究部
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上田 哲三
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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野間 淳史
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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宇田 智哉
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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立岡 一樹
松下電子工業(株) 電子総合研究所 第二研究部
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福田 健志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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丹波 泰之
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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上田 大助
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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藤本 和久
松下電子工業(株)電子総合研究所
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福田 健志
松下電子工業(株)電子総合研究所半導体第二研究部
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工藤 義春
松下通信工業(株)
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高田 正人
(株)松下通信金沢研究所
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川島 克彦
松下電子工業(株)電子総合研究所
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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杉村 昭久
松下電子工業電子総合研究所
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工藤 義春
松下通信工業株式会社大阪開発センター
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川島 克彦
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
藤本 和久
パナソニックモバイルコミュニケーションズ株式会社r&dセンター
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長田 俊輔
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
野間 敦史
松下電子工業(株) 電子総合研究所 第二研究部
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
著作論文
- 大振幅動作におけるGaAsFETの周波数分散と変調波ひずみ特性
- 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
- Surface-Via-Hole (SVH)技術によるGaAsパワーFET
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- 位相シフト露光法によるMODFETを用いた低電流低歪帰還型広帯域アンプ
- GaAs FETの短チャネル効果を用いた低歪化アッテネータIC
- 2段ゲート長FETによるGaAs可変アッテネータの低歪化
- 単一正電圧制御GaAs RFスイッチIC
- W-CDMA基地局用200W MODFETパワーデバイス
- W-CDMA基地局用200W MODFET
- ゲート方向によるGaAsパワーFETの温特補償
- ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
- 位相シフト露光法による0.2μmゲートMODFETを用いた低電流広帯域アンプ
- 補助グランド突起をもつリードフレームによるアイソレーション改善効果
- AlGaAs/GaAs HBT の電流利得のエミッタ方向依存性
- STOキャパシタ内蔵0.4〜7GHzトランスインピーダンスアンプIC
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- ETC用単一電源パワーMMICの開発
- C-10-3 GSM用高出力DPDTスイッチIC
- Cr拡散によるGaAsパワーFETの低歪み化
- W-CDMA基地局用200W MODFET
- W-CDMA基地局用200W MODFET
- 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- C-10-7 SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
- C-10-5 低温成膜STO容量素子の熱処理特性
- ノーマリオフ型セルフアライメント構造PJ-HFET
- SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
- SC-5-7 SiC基板上AlGaN/GaN HFETの高周波特性
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- アクティブバラン内蔵GaAsシングルバランスドミキサー
- アクティブバラン内蔵シングルバランスドミキサー
- 位相シフト法によるGaAsFETの微細ゲート形成
- 位相シフト露光法による0.15μmT字型ゲートGaAs MODFETの形成
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- スパイクゲート構造による高効率低歪みGaAsパワーFET
- 1.5V動作高効率GaAsスパイクゲートパワーFET
- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
- ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
- ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
- 高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFIC
- 高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFIC
- 高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFIC
- 新エッジ構造によるBSTキャパシタの特性改善
- GaAsIC用BSTキャパシタの信頼性に及ぼす粒界の影響