野間 淳史 | 松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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概要
関連著者
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野間 淳史
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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野間 淳史
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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大槻 達男
松下電子工業(株)電子総合研究所第三研究部
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上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
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大槻 達男
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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嶋田 恭博
松下電子工業株式会社 技術本部 電子総合研究所
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平野 博茂
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
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平野 博茂
松下電器産業株式会社
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平野 博茂
松下電子工業(株) 京都研究所
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三河 巧
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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夏目 進也
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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長野 能久
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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伊東 豊二
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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久都内 知恵
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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立成 利貴
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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五寶 靖
松下電器産業株式会社半導体社システムLSI開発本部
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十代 勇治
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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藤井 英治
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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藤井 英治
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
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藤井 英治
松下電子工業(株)電子総合研究所
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嶋田 恭博
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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五寶 靖
松下電器産業株式会社 半導体社 システムlsi開発本部
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野間 淳史
松下電器産業株式会社
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嶋田 泰博
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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藤井 英治
松下電器産業 システムlsi開発本部
著作論文
- 0.18umFeRAM混載システムLSI(新型不揮発性メモリー)
- 新エッジ構造によるBSTキャパシタの特性改善
- GaAsIC用BSTキャパシタの信頼性に及ぼす粒界の影響
- 強誘電体キャパシタにおける分極減衰・ヒステリシス歪曲の温度依存性
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