強誘電体キャパシタにおける分極減衰・ヒステリシス歪曲の温度依存性
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概要
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強誘電体キャパシタにおける分極減衰およびヒステリシス歪曲への保存温度の影響について、いくつかの温度条件下での分極保持期間前後のヒステリシス曲線の形状を比較することによって調べた。これらの結果から、分極減衰およびヒステリシス歪曲が長時間にわたっておこる過程を、いずれもエネルギーギャップに分布したトラップ準位から放出された電子が特定のトラップ準位に捕獲されて分極電荷を補償するかまたは分極反転を阻止するメカニズムによって包括的に説明した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-09
著者
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大槻 達男
松下電子工業(株)電子総合研究所第三研究部
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嶋田 恭博
松下電子工業株式会社 技術本部 電子総合研究所
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野間 淳史
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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嶋田 恭博
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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大槻 達男
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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野間 淳史
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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