0.9Vマイクロコントローラ搭載用強誘電体メモリ
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概要
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本稿はシステムオンチップにおける強誘電体メモリ技術の応用についての報告である。強誘電体材料の最適化と新たな強誘電体キャパシタのモデルを用いた回路設計によって0.9Vの低電圧動作、高速動作を可能とした。また、マイクロコントローラなどの強誘電体メモリ搭載デバイスの新たなアーキテクチャーの提案について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-26
著者
-
大槻 達男
松下電子工業(株)電子総合研究所第三研究部
-
吾妻 正道
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
角 辰己
松下電子工業
-
平野 博茂
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
-
平野 博茂
松下電子工業(株) 京都研究所
-
大槻 達男
松下電子工業株式会社 技術本部電子総合研究所
-
Gregory John
Symetrix Corporation
-
Araujo A.Paz
University of Colorado
-
吾妻 正道
松下電子工業(株) 電子総合研究所
-
大槻 達男
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
角 辰己
松下電子工業(株) 京都研究所
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