平野 博茂 | パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
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概要
関連著者
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平野 博茂
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
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平野 博茂
松下電子工業(株) 京都研究所
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本多 利行
松下電子工業(株) プロセス開発センター
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角 辰己
松下電子工業(株) 京都研究所
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本多 利行
松下電子工業(株) 京都研究所
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角 辰己
松下電子工業
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平野 博茂
松下電器産業株式会社
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茶谷 茂雄
松下電子工業(株) 京都研究所
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藤井 英治
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
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中熊 哲治
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
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五寶 靖
松下電器産業株式会社 半導体社 システムlsi開発本部
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角 辰巳
松下電子工業(株)電子総合研究所
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五寶 靖
松下電器産業株式会社半導体社システムLSI開発本部
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藤井 英治
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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三木 隆
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
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坂上 雅彦
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
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山岡 邦吏
松下電器産業株式会社 半導体社 システムLSI開発本部
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岩成 俊一
松下電器産業株式会社 半導体社 システムLSI開発本部
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村久木 康夫
松下電器産業株式会社 半導体社 システムLSI開発本部
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浅利 康二
大阪大学大学院情報システム工学専攻 : 松下電子工業株式会社技術本部
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角 辰巳
松下電子工業
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藤井 英治
松下電器産業 システムlsi開発本部
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大槻 達男
松下電子工業(株)電子総合研究所第三研究部
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伊藤 豊
Istec
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吾妻 正道
松下電子工業(株)電子総合研究所
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小池 功二
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
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伊藤 豊
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
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石川 和弘
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
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十代 勇治
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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藤井 英治
松下電子工業(株)電子総合研究所
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大槻 達男
松下電子工業株式会社 技術本部電子総合研究所
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浅利 康二
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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吾妻 正道
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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大槻 達男
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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角 辰巳
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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福本 高大
松下電子工業京都研究所
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伊藤 豊
国立病院災害医療センター消化器乳腺外科
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嶋田 恭博
松下電子工業株式会社 技術本部 電子総合研究所
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十代 勇治
松下電子工業(株)電子総合研究所
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森脇 信行
松下電子工業(株)電子総合研究所
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中熊 哲治
松下電子工業
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太田 行俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
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伊藤 史人
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
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柄谷 周子
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
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西尾 太一
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
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小池 功二
松下電器産業株式会社
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竹村 康司
松下電器産業株式会社
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佐野 光
松下電器産業株式会社
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伊藤 豊
松下電器産業株式会社
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高橋 昌男
松下電器産業株式会社
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石川 和弘
松下電器産業株式会社
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井上 敦雄
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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中根 譲冶
松下電子工業(株) 京都研究所
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道山 淳児
松下電器産業株式会社 半導体社 開発本部 プロセッサ開発センター
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三河 巧
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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夏目 進也
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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長野 能久
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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伊東 豊二
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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久都内 知恵
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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立成 利貴
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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野間 淳史
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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嶋田 恭博
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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五寳 靖
松下電器産業株式会社半導体社システムLSI開発本部
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Gregory John
Symetrix Corporation
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Araujo A.Paz
University of Colorado
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道山 淳児
松下電器産業研究本部九州研究グループ
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浅利 康二
電子総合研究所
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平野 博茂
京都研究所
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本多 利行
京都研究所
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角 辰己
京都研究所
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野間 淳史
松下電器産業株式会社
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前島 隆志
松下電子工業京都研究所
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有賀 理恵
松下電子工業LSI開発センター
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明石 拓夫
松下電子工業マイコン事業部
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渡部 誠司
松下電子工業LSI開発センター
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森脇 信行
松下電子工業(株) 京都研究所
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道山 淳児
松下電器産業
著作論文
- 新メッシュ構造および裏打ちめっき層による電源配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- アセンブリ応力によるトランジスタ特性変動定量化技術と応力緩和構造(シリコン関連材料の作製と評価)
- 0.18umFeRAM混載システムLSI(新型不揮発性メモリー)
- 2V/100ns 1T/1C強誘電体メモリアーキテクチャー
- 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
- 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー
- 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー(シリコン関連材料の作製と評価)
- 強誘電体メモリ技術とその応用
- 0.9Vマイクロコントローラ搭載用強誘電体メモリ
- 強誘電体メモリ読出動作におけるワード線電圧の影響
- 強誘電体メモリにおけるプレートパルス駆動読出方式
- フラッシュEEPROMを搭載した2V 120nsec 動作 8bit/16bit マイクロコントローラ
- 低電圧高速フラッシュメモリ回路技術
- 低電圧フラッシュメモリにおける消去方式
- メモリデバイスにおける電荷再利用方式とその最適化