フラッシュEEPROMを搭載した2V 120nsec 動作 8bit/16bit マイクロコントローラ
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概要
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現在、市場で最も一般的な1トランジスタ型フラッシュEEPROMを低電圧高速0.8μm 2層メタルCMOSプロセスに組み込んだ。これまで、このタイプのセルは、低電圧高速読みだしに適さなかった。そこで、この問題を解決する為に、(1)新規の『2ステップ イレース ベリファイ アルゴリズム』(2)NMOSプリチャージNMOS自己昇圧型昇圧回路(3)コラムゲート昇圧回路が開発された。これらの新技術を用いる事によって2V120nsecで動作する64KバイトフラッシュEEPROM内蔵8ビット/16ビットマイコンが開発された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-22
著者
-
角 辰巳
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
平野 博茂
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
-
平野 博茂
松下電子工業(株) 京都研究所
-
本多 利行
松下電子工業(株) 京都研究所
-
茶谷 茂雄
松下電子工業(株) 京都研究所
-
道山 淳児
松下電器産業株式会社 半導体社 開発本部 プロセッサ開発センター
-
本多 利行
松下電子工業(株) プロセス開発センター
-
角 辰巳
松下電子工業(株) 電子総合研究所
-
道山 淳児
松下電器産業研究本部九州研究グループ
-
福本 高大
松下電子工業京都研究所
-
前島 隆志
松下電子工業京都研究所
-
有賀 理恵
松下電子工業LSI開発センター
-
明石 拓夫
松下電子工業マイコン事業部
-
渡部 誠司
松下電子工業LSI開発センター
-
角 辰巳
松下電子工業
-
道山 淳児
松下電器産業
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