1.4V 60MHzアクセス0.25μm内蔵型フラッシュEEPROM
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概要
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ワード線昇圧回路、電流比較センスアンプ、インターリープアーキテクチャを使って、1.4V 60MHz内蔵型のフラッシュEEPROMを開発した。高性能チャージポンプと電圧レギュレータ、電圧スイッチから構成される新しいワード線昇圧回路により、電源電圧1.4Vから安定した電圧をワード線に供給した。また、インターリープアーキテクチャを使ったクロック同期のリードアクセスによって、フラッシュEEPROMの最大動作周波数は倍増した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-28
著者
-
道山 淳児
松下電器産業株式会社 半導体社 開発本部 プロセッサ開発センター
-
片岡 知典
松下電器産業半導体研究センター
-
木村 智生
松下電器産業株式会社プラットフォーム開発センター
-
道山 淳児
松下電器産業研究本部九州研究グループ
-
渕上 郁雄
松下電器産業(株) 半導体開発本部 Itシステムlsi開発センター
-
木村 智生
松下電器産業(株) 半導体開発本部 Itシステムlsi開発センター
-
西田 要一
松下電器産業(株) 半導体開発本部 ITシステムLSI開発センター
-
片岡 知典
松下電器産業(株) 半導体開発本部 Itシステムlsi開発センター
-
道山 淳児
松下電器産業
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