低電圧マイコン搭載用スタック型フラッシュEEPROMの過消去制御の検討
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概要
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スタック型のフラッシュEEPROMをマイコンに搭載する場合、最大の課題は低電圧・高速読み出しをいかに実現するかである。そこで、消去後のしきい値電圧ばらつきの下限を検出する方式とドレインストレス印加方式を組み合わせることにより安定して低電圧動作保証を確保できる消去方式を提案している。今回、過消去状態のメモリセルのリーク電流検出での過消去制御の可能性と自動消去を実現する回路の検討を行ったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
道山 淳児
松下電器産業株式会社 半導体社 開発本部 プロセッサ開発センター
-
西田 要一
松下電器 九州飯塚研究所
-
道山 淳児
松下電器産業研究本部九州研究グループ
-
道山 淳児
松下電器 九州飯塚研究所
-
福本 高大
松下電子工業京都研究所
-
有賀 理恵
松下電子工業LSI開発センター
-
西田 要一
松下電器産業(株) 半導体開発本部 ITシステムLSI開発センター
-
福本 高大
松下電子 京都研究所
-
有賀 理恵
松下電子 マイコン事業部
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