マルチメディア対応4.4Mビット3ポートVRAM

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概要

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• 270Kワード×16ビット構成のランダムアクセスメモリ(RAM)、512ワード×8ビット構成のシリアルアクセスメモリA(SAMa)、1024ワード×4ビット構成のシリアルアクセスメモリB(SAMb)からなる、4.4MビットトリプルポートDRAMの、ピクセル(ビット)アラインVRAM・アーキテクチャと新回路技術について述べる。RAM、SAMa、SAMもポートは3つの独立した同期式クロックで動作する。これらの3つのどのボートにおいても、ワードデータは任意のビットアドレスにアラインできる。SAMbからRAMへのデータ転送は転送マスクデータに基づいてビット単位にマスクできる。RAMは33MHz、2つのSAMは40MHzの周期式クロックで動作する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1993-11-26

著者

• 川原 昭文

  松下電子工業株式会社

• 福島 哲之

  松下電子工業株式会社

• 森 俊樹

  松下電器産業

• 福島 哲之

  松下電器産業半導体研究センター

• 川原 昭文

  松下電器産業半導体研究センター

• 東 亮太郎

  松下電器産業半導体研究センター

• 西 和義

  松下電器産業半導体研究センター

• 松本 昭浩

  松下電子工業メモリ事業部

• 和田 勝己

  松下電子工業メモリ事業部

• 片岡 知典

  松下電器産業半導体研究センター

• 片岡 知典

  松下電器産業(株) 半導体開発本部 Itシステムlsi開発センター

• 川原 昭文

  松下電器産業

• 東 亮太郎

  パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター

• 川原 昭文

  パナソニック株式会社

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