書き換え1000万回超のReRAMを実現する微細フィラメント形成技術及びレベルベリファイ書込み方式(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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1T1R型ReRAMメモリアレイにおいて、書き換え回数が従来の10倍以上の1000万回超の性能と、微細プロセスに対応可能なフィラメント形成を実現した。自己完結及び電流制限方式を有する2ステップフォーミング回路と、過渡的な状態を回復するベリファイアルゴリズムと最適書込みパルス発生の可能なレベルベリファイ回路を、110nm 256Kbit TEGを用いて開発した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-04-04
著者
-
青野 邦年
松下電器
-
高木 剛
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
川原 昭文
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
東 亮太郎
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
池田 雄一郎
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
河合 賢
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
加藤 佳一
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
姫野 敦史
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
島川 一彦
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
青野 邦年
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
魏 志強
パナソニック株式会社 先行デバイス開発センター
-
高木 剛
パナソニック株式会社
-
吉本 裕平
パナソニック株式会社
-
田邊 浩平
パナソニック株式会社
-
二宮 健生
パナソニック株式会社
-
片山 幸治
パナソニック株式会社
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村岡 俊作
パナソニック株式会社
-
池田 雄一郎
パナソニック株式会社
-
姫野 敦史
パナソニック株式会社
-
島川 一彦
パナソニック株式会社
-
河合 賢
パナソニック株式会社
-
魏 志強
パナソニック株式会社
-
川原 昭文
パナソニック株式会社
-
青野 邦年
パナソニック株式会社 デバイス・システム開発センター
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