物理モデルに基づく高信頼性ReRAMの開発(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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概要

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• バイポーラ型のReRAMにおいて、フィラメント内酸素欠陥を介したホッピング伝導に基づく信頼性モデルを開発した。EBACとTEMにより、抵抗変化素子のフィラメントの状態を初めて観察した。フィラメントの大きさを最適制御することにより、256k-bitメモリアレイで、85℃において、10年以上のリテンション寿命を確認した。

• 2012-01-20

著者

• 魏 志強

  パナソニック株式会社先行デバイス開発センター

• 高木 剛

  パナソニック株式会社先行デバイス開発センター

• 高木 剛

  パナソニック株式会社 先行デバイス開発センター

• 魏 志強

  パナソニック株式会社 先行デバイス開発センター

• 高木 剛

  パナソニック株式会社

• 魏 志強

  パナソニック株式会社

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