書込み速度443MB/sを実現する8Mb多層クロスポイントReRAMマクロ(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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TaOxを用いたReRAMの高速な書換え性能とクロスポイントメモリセルアレイ構成におけるスニーク電流を低減する書込みアーキテクチャにより、443MB/s(サイクル時間17.2ns、64bit並列)と、従来比約2倍の高速な書込みを実現する0.18μm 8Mbit多層クロスポイント型ReRAMマクロを開発した。
- 2012-04-16
著者
-
池田 雄一郎
松下電器産業半導体社
-
青野 邦年
松下電器
-
川原 昭文
松下電子工業株式会社
-
早川 幸夫
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
辻 清孝
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
高木 剛
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
高木 剛
パナソニック株式会社 先行デバイス開発センター
-
川原 昭文
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
東 亮太郎
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
池田 雄一郎
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
河合 賢
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
加藤 佳一
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
米田 慎一
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
姫野 敦史
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
島川 一彦
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
三河 巧
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
青野 邦年
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
-
高木 剛
パナソニック株式会社
-
池田 雄一郎
パナソニック株式会社
-
姫野 敦史
パナソニック株式会社
-
島川 一彦
パナソニック株式会社
-
河合 賢
パナソニック株式会社
-
川原 昭文
パナソニック株式会社
-
青野 邦年
パナソニック株式会社 デバイス・システム開発センター
-
三河 巧
パナソニック株式会社 デバイス・システム開発センター
-
早川 幸夫
パナソニック株式会社 デバイス・システム開発センター
-
辻 清孝
パナソニック株式会社 デバイス・システム開発センター
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