4kbit強誘電体メモリ搭載マイコン
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概要
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近年、移動データ通信用の携帯情報機器が出現してきており、半導体デバイスに関し、高速動作を損なわずに低消費電力と低電圧動作を図ることが機器のバッテリー寿命を延ばす上で重要である。さらに、ICカード用途ではセキュリティ確保のために、不揮発メモリを搭載したマイコンが要求されている。現在、これらの機器において、バッテリーバックアップシステムを持つSRAMや、EEPROMやフラッシュEEPROMがデータ記憶用メモリとして使われているが、上記の要求を完全に満足するものはない。今回、 強誘電体不揮発メモリ(以下FeRAMと略す)を搭載したマイコンを試作し、高速動作、低消費電力と低電圧動作を実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
有田 浩二
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
十代 勇治
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
中熊 哲治
松下電子工業
-
十代 勇治
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
-
難波 剛
松下電器産業株式会社
-
中熊 哲治
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
-
池田 信行
松下電子工業株式会社
-
川原 昭文
松下電子工業株式会社
-
福島 哲之
松下電子工業株式会社
-
松本 政彦
松下電子工業株式会社
-
西本 敏夫
松下電子工業株式会社
-
高橋 信一
Panasonic Semiconductor Development Company
-
有田 浩二
松下電子工業株式会社
-
川原 昭文
松下電器産業
-
西本 敏夫
松下電子工業(株)
-
川原 昭文
パナソニック株式会社
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