強誘電体薄膜作製技術とデバイス応用
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概要
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強誘電体薄膜の自発分極を用いた不揮発性メモリーの研究開発が1990年代に入り、盛んになってきている。これは、これまで主に研究されてきたPZT系薄膜材料でメモリーの実用化に課題となっていた、分極反転を繰り返すと自発分極が減少する、いわゆるファティーグといわれる現象、および、5Vより低い電圧での動作特性が、米国シンメトリクス社から発表されたビスマス系層状ペロプスカイト材料で飛躍的に改善された背景がある。本報告では薄膜形成技術について述べた後、デバイスへの応用について現状を紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
大槻 達男
松下電子工業(株)電子総合研究所第三研究部
-
林 慎一郎
松下電子工業株式会社 技術本部電子総合研究所
-
嶋田 恭博
松下電子工業株式会社 技術本部 電子総合研究所
-
藤井 英治
松下電子工業株式会社 技術本部 電子総合研究所
-
吾妻 正道
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
上本 康裕
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
有田 浩二
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
長野 能久
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
十代 勇治
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
森脇 信行
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
中根 譲治
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
角 辰巳
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
中根 譲冶
松下電子工業(株) 京都研究所
-
上本 康裕
松下電子工業(株)電子総合研究所 機能lsi研究部
-
長野 能久
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
-
十代 勇治
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
-
藤井 英治
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
-
上本 康裕
松下電子工業 電子総研
-
藤井 英治
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
-
藤井 英治
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
嶋田 恭博
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
大槻 達男
松下電子工業株式会社 技術本部電子総合研究所
-
吾妻 正道
松下電子工業(株) 電子総合研究所
-
大槻 達男
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
有田 浩二
松下電子工業株式会社
-
角 辰巳
松下電子工業
-
角 辰己
松下電子工業(株) 京都研究所
-
森脇 信行
松下電子工業(株) 京都研究所
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