強誘電体メモリ読出動作におけるワード線電圧の影響
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概要
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強誘電体メモリは、低電圧高速書き換え読み出し動作ができる不揮発性メモリとして注目されている。低電圧動作においてはワード線の昇圧は有利であるが高速動作においてはその遅延時間が課題となる。そこで今回、プレート遷移方式とプレートパルス駆動方式のそれぞれにおけるワード線電圧の影響を強誘電体キャパシタモデルを用いたシミュレーションにより検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
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角 辰己
松下電子工業
-
平野 博茂
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
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平野 博茂
松下電子工業(株) 京都研究所
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本多 利行
松下電子工業(株) 京都研究所
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本多 利行
松下電子工業(株) プロセス開発センター
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浅利 康二
大阪大学大学院情報システム工学専攻 : 松下電子工業株式会社技術本部
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浅利 康二
電子総合研究所
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角 辰己
松下電子工業(株) 京都研究所
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