3V駆動でアクセス時間100nsの256Kb強誘電体不揮発性メモリ
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概要
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3Vの低電圧動作、100nsの高速動作、3mAの低消費電流と従来比1万倍以上の書き換え回数(10^12>回以上)を実現した256Kbの高集積強誘電体不揮発性メモリを開発した。これは、新たに開発された書き換えによる劣化の極めて少ない新しい強誘電体材料と低電圧で動作し高集積可能な1T1Cセル方式や低消費電流動作のための回路などの新規技術で実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-27
著者
-
大槻 達男
松下電子工業(株)電子総合研究所第三研究部
-
林 慎一郎
松下電子工業株式会社 技術本部電子総合研究所
-
藤井 英治
松下電子工業株式会社 技術本部 電子総合研究所
-
吾妻 正道
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
上本 康裕
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
長野 能久
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
十代 勇治
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
森脇 信行
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
中根 譲治
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
角 辰己
松下電子工業
-
中熊 哲治
松下電子工業
-
勝 新一
松下電子工業
-
McMillan Larry
シンメトリックス社
-
Araujo Calros
シンメトリックス社
-
中根 譲冶
松下電子工業(株) 京都研究所
-
上本 康裕
松下電子工業(株)電子総合研究所 機能lsi研究部
-
長野 能久
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
-
十代 勇治
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
-
藤井 英治
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
-
上本 康裕
松下電子工業 電子総研
-
Pax De
Univ. Colorado
-
藤井 英治
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
-
藤井 英治
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
中熊 哲治
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
-
大槻 達男
松下電子工業株式会社 技術本部電子総合研究所
-
吾妻 正道
松下電子工業(株) 電子総合研究所
-
大槻 達男
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
角 辰己
松下電子工業(株) 京都研究所
-
森脇 信行
松下電子工業(株) 京都研究所
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