SBT系強誘電体LSMCD薄膜の現状
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概要
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強誘電体メモリー(FeRAM)はSrBi_2Ta_2O_9(SBT)系ビスマス層状ペロブス力イトの強誘電体材料技術、強誘電体/半導体集積化技術の飛躍的な進歩により、低電圧かつ不揮発性の特長を生かしてICカード応用から商品化が始まっている。高集積化の鍵となる強誘電体成膜技術として、LSMCD(Liquid Source Misted Chemical Deposition) 技術の開発に成功した。高信頼性の70nmのSBTN超薄膜を使用したFeRAMを製作し、0.7Vまで動作させることを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-15
著者
-
大槻 達男
松下電子工業(株)電子総合研究所第三研究部
-
林 慎一郎
松下電子工業株式会社 技術本部電子総合研究所
-
嶋田 恭博
松下電子工業株式会社 技術本部 電子総合研究所
-
藤井 英治
松下電子工業株式会社 技術本部 電子総合研究所
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藤井 英治
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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藤井 英治
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
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藤井 英治
松下電子工業(株)電子総合研究所
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嶋田 恭博
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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大槻 達男
松下電子工業株式会社 技術本部電子総合研究所
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大槻 達男
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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