高信頼性強誘電体メモリー技術
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概要
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FeRAM(Ferroelectric Memory)の高温・低電圧書き込みでの信頼性向上を目的として、以下の2つのキー技術を開発した。(1)低い抗電界でありながら高い残留分極値をもつBi系の複合層状超格子結晶。(2)p-SiN保護膜の適用を可能とする2層目のメタルでキャパシターをカバーした耐水素プラズマ構造。以上のキー技術を適用し、0.6um2層メタルCMOSプロセスを用いて試作したFeRAMは、70Cにおいて、低電圧(2.4V)書き込みでも10年以上のリテンション寿命及び10年以上の耐湿性といった高信頼性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-13
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