強誘電体メモリ技術 (特集/メモリデバイス) -- (半導体メモリ)
スポンサーリンク
概要
著者
-
藤井 英治
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
-
藤井 英治
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
-
藤井 英治
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
大槻 達男
松下電子工業株式会社 技術本部電子総合研究所
-
角 辰己
松下電子工業(株) 京都研究所
関連論文
- SBT系強誘電体LSMCDの薄膜の現状
- SBT系強誘電体LSMCD薄膜の現状
- 強誘電体薄膜作製技術とデバイス応用
- 3V駆動でアクセス時間100nsの256Kb強誘電体不揮発性メモリ
- 2-9 2/3インチ130万画素FIT-CCD撮像素子
- 4-7 小型LCD用ポリシリコン画素電極
- 0.18umFeRAM混載システムLSI(新型不揮発性メモリー)
- 2V/100ns 1T/1C強誘電体メモリアーキテクチャー
- SrBi_2Ta_2O_9強誘電体キャパシタの集積化プロセス
- 4-1 小型液晶ディスプレイ用Poly-Si・TFT集積回路
- SOI構造撮像素子 : "画像変換装置"合同研究会 : 電子装置 : 画像表示
- HDTVカメラ用1258(H)×1035(V)画素FIT-CCD撮像素子
- 11)130万画素FIT CCD撮像素子(〔テレビジョン方式・回路研究会 テレビジョン電子装置研究会〕合同)
- 130万画素FIT CCD撮像素子
- 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
- 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー
- 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー(シリコン関連材料の作製と評価)
- Guest Paper 松下電器産業による寄稿 混載FeRAMの微細化にメド +1.1V動作の0.18μm品を量産へ--キャパシタの完全被覆で実現
- 強誘電体メモリ技術 (特集/メモリデバイス) -- (半導体メモリ)
- 小型CCD撮像素子
- 3-9 小型CCD撮像素子におけるPウェル構造
- 強誘電体メモリ技術とその応用
- 0.9Vマイクロコントローラ搭載用強誘電体メモリ
- 台形関数と参照ベクトルを用いた学習モデル
- 強誘電体メモリ読出動作におけるワード線電圧の影響
- 強誘電体メモリにおけるプレートパルス駆動読出方式
- 低電圧高速フラッシュメモリ回路技術
- 低電圧フラッシュメモリにおける消去方式
- 高信頼性強誘電体メモリー技術