2V/100ns 1T/1C強誘電体メモリアーキテクチャー
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概要
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最近, 携帯端末機器などに低電圧高速動作のマイコン搭載用不揮発性メモリが要望されている. 本稿では, 強誘電体不揮発性メモリの新アーキテクチャーとして, ビット線駆動型読み出し方式とノンリラクゼーションリファレンスセル技術を用いることにより, 2V/100ns動作を可能とした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-08-23
著者
-
森脇 信行
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
角 辰己
松下電子工業
-
中熊 哲治
松下電子工業
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平野 博茂
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
-
井上 敦雄
松下電子工業(株) 電子総合研究所
-
平野 博茂
松下電子工業(株) 京都研究所
-
本多 利行
松下電子工業(株) 京都研究所
-
中根 譲冶
松下電子工業(株) 京都研究所
-
茶谷 茂雄
松下電子工業(株) 京都研究所
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中熊 哲治
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
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本多 利行
松下電子工業(株) プロセス開発センター
-
角 辰己
松下電子工業(株) 京都研究所
-
森脇 信行
松下電子工業(株) 京都研究所
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