強誘電体メモリの技術課題と今後の展望
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概要
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マルチメディア社会で期待されるULSI強誘電体メモリの商業化における技術課題について、強誘電体材料、薄膜形成技術、ドライエッチング技術等の微細加工の観点から述べる。これらの技術により平面型のセルから三次元セルへ、2T/2C型セルから1T/1C型セルヘULSIメモリに適したセルへの移行が可能になる。さらに強誘電体不揮発性メモリが用いられる市場についても述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-24
著者
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