低電圧フラッシュメモリにおける消去方式
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概要
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フラッシュメモリは高集積性に優れ書き換え可能な不揮発性メモリとしてマイコン搭載メモリなどに幅広く用いられている。最近では、携帯機器用に低電圧化の要望が高まっている。フラッシュメモリの低電圧動作のためには、メモリセルのオフリーク電流のばらつきを少なく抑えることが課題の1つである。このためメモリセルを過消去した後に、逆にしきい値を零近くまで戻す(リバース)方式が提案されている。今回、この過消去リバース方式において、リーク電流を従来よりさらに抑え、かつ、短時間に制御する方式について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
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角 辰己
松下電子工業
-
平野 博茂
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
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平野 博茂
松下電子工業(株) 京都研究所
-
本多 利行
松下電子工業(株) 京都研究所
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茶谷 茂雄
松下電子工業(株) 京都研究所
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本多 利行
松下電子工業(株) プロセス開発センター
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角 辰己
松下電子工業(株) 京都研究所
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